Ultimi sviluppi dei sensori UFSD per l'Endcap Timing Layer di CMS.

La mia presentazione riguarderà gli Ultra-Fast Silicon Detectors (UFSDs), una tipologia di sensori a semiconduttore che, a differenza di quelli tradizionali, presentano un sottile layer altamente drogato, detti Low-Gain Avalanche Diodes (LGADs). Questa configurazione genera un innalzamento locale del campo elettrico in grado di moltiplicare le cariche primarie rilasciate per ionizzazione al passaggio di particelle; il risultato che si ottiene è un segnale più ampio rispetto ai classici rivelatori al silicio, ma soprattutto un miglior rapporto segnale/rumore. Grazie al loro disegno i rivelatori UFSD, con uno spessore di circa $50 \mu m,$ permettono di effettuare misure di tempo con una risoluzione temporale di alcune decine di $ {ps}$. Verranno presentate le caratteristiche dei sensori UFSD e le principali misure effettuate sulle ultime produzioni. In particolare, mostrerà l'evoluzione della risoluzione temporale al variare della radiazione ricevuta e "per la prima volta" mostrerà l'uniformità di produzione su sensori di grandi dimensioni, circa $4.5 {cm^2}$, in vista dell'utilizzo di sensori UFSD per la costruzione della parte endcap del MIP Timing Detector (MTD) per la Fase 2 del rivelatore CMS.